На базе ТГУ прошёл семинар, на котором сотрудники кафедры полупроводниковой электроники Радиофизического факультета и Центра исследований и разработок «Перспективные технологии в микроэлектронике» заслушали доклад Юлианны Петровой на тему: «Свойства пленок оксида галлия, полученных методом электрохимического окисления пластин GaAs». Исследования выполнены в рамках проекта, поддержанного мегагрантом правительства РФ.
В сообщении представлены результаты исследования морфологии поверхности, структурного анализа, электрофизических и фотоэлектрических характеристик структур с тонкими пленками оксида галлия, полученных на подложках арсенида галлия методом электрохимического окисления поверхности полупроводника.
Подобные пленки находят множество применений: используются при разработке газовых сенсоров, в качестве изолятора в силовой электронике, а также являются перспективным материалом для различных оптоэлектронных приборов.
Семинар стал своего рода репетицией перед защитой кандидатской диссертации докладчика, которая состоится в конце марта (21.03.2024). Коллеги задавали вопросы по теме исследования, давали рекомендации по улучшению доклада. По мнению докладчика, подобные мероприятия позволяют лучше подготовиться к выступлению в диссертационном совете, чувствовать себя спокойнее и увереннее.
