Сотрудники лаборатории детекторов синхротронного излучения ТГУ выступили на международном конгрессе «9th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects» (EFRE-2024), проводившем в период 16-21 сентября 2024 года.
Конгресс традиционно выступает площадкой, на которой ученые, инженеры и представители промышленности представляют новые разработки, обсуждают передовые результаты исследований, обмениваются идеями для успешного сотрудничества и дальнейшего технологического развития.
Тематика конгресса охватывает широкий спектр научных, инженерных и технических направлений: импульсные энергетические технологии; ионные и электронные пучки; мощные микроволны; плазменные и пучковые источники частиц; модификация свойств материалов; применение импульсной энергии в химии, биологии и медицине и т.д. В рамках конгресса были сделаны следующие доклады:
Eltctronic properties of highly compensated semiconductors: HR-GaAs:Cr structure (O.P. Tolbanov);
— Dynamics of the Formation of Photocurrent Pulses of Microstrip Sensors Based on Gallium Arsenide Compensated by Chromium Under the Influence of Synchrotron X-Ray Radiation (M.S. Trofimov);
— Semiconductor X-Ray Sensors Based on Chromium Compensated Gallium Arsenide (Ivan Chsherbakov);
— Study of Large-Scale Inhomogeneities in n-GaAs and Their Influence on the Homogeneity and Characteristics of HR GaAs:Cr Ionizing Radiation Sensors (L.K. Shaimerdenova);
— Defectivity control system for semiconductor wafers and structures (A.E. Vinnik);
— Simulation of radiation hardness of chromium-compensated gallium arsenide sensors irradiated with 1-10 MeV beta-particles (A.V. Tyazhev);
— Measurement and simulation of current-voltage characteristics of high-energy electron sensors based on gallium arsenide compensated with chromium (А.А. Makovskiy);
— Simulation of charge collection efficiency and signal to noise ratio of x-ray sensors based on chromium-compensated gallium arsenide (M.S. Golubev);
— Current-voltage characteristics of CdTe and CZT X-ray sensors (V. Gustomyasov);
— Investigation of steady state X-ray sensitivity of pad sensors based on undoped single-crystal silicon carbide, (A. V. Zhidikov);
— Simulation of distribution of electrophysical parameters over a chromium compensated gallium arsenide wafers (K. M. Kosukhin);
— Investigation of steady state X-ray sensitivity of single-crystal sapphire sensors (K. A. Chashtanov).
Ожидается, что доклады, идеи и обсуждения на платформе EFRE-2024 внесут значительный вклад в развитие этих областей фундаментальной науки и приложений.