Томск. 29 июля. ИНТЕРФАКС — Аспирант радиофизического факультета Томского госуниверситета (РФФ ТГУ) Никита Яковлев разработал диоды на основе оксида галлия, которые могут использоваться в разных областях промышленности, сообщает пресс-служба ТГУ во вторник.
Отмечается, что в рамках проекта, поддержанного Фондом содействия инновациям, Яковлев со своим научным руководителем Алексеем Алмаевым разработали диоды с пробивным напряжением более 1 тыс. вольт. Тестирование полупроводниковых приборов проводилось в текущем году на базе лаборатории металлооксидных полупроводников центра «Перспективные технологии в микроэлектронике» ТГУ.
По словам разработчика, в настоящее время ученые занимаются оптимизацией процесса производства.
«Необходимо доработать технический маршрут отдельных операций, чтобы повысить процент выхода годных диодов с барьером Шоттки. Потенциальная область применения таких диодов очень широкая: они могут быть использованы для производства энергоэффективных зарядных устройств, высокомощных блоков питания, схем управления электродвигателями автомобилей и в другой силовой электронике», — приводятся в сообщении слова разработчика.
В пресс-служба ТГУ добавили, что центр «Перспективные технологии в микроэлектронике» ТГУ является российским центром компетенций в области технологий полупроводниковых сенсоров ионизирующего излучения для систем мультиспектральной цифровой радиографии.
В настоящее время на базе Сейчас на базе Центра ПТМ также ведется разработка и изготовление радиационно стойких сенсоров для детекторов, которые будут установлены на источниках синхротронного излучения четвертого поколения, например, российских СКИФ, РИФ, КИСИ, СИЛА.
Томский госуниверситет был открыт в 1888 году. Вуз занял шестое место в Национальном рейтинге университетов 2025 года, подготовленном международной информационной группой «Интерфакс».