В настоящее время радиофизики Томского государственного университета реализуют масштабный проект при поддержке мегагранта Правительства РФ (руководитель проекта – приглашённый учёный Лев Шехтман). Проект нацелен на создание детекторов повышенной устойчивости для источника синхротронного излучения класса 4+ («СКИФ»), строительство которого идёт под Новосибирском в г. Кольцово.
В ходе семинара учёные ТГУ представили четыре доклада, посвященных разработке детекторов нового поколения. Заведующий лабораторией детекторов синхротронного излучения и Центра «Перспективные технологии в микроэлектронике» Олег Толбанов рассказал об электронных свойствах сильно компенсированных полупроводников и HR GaAs:Cr структуре.
Старший научный сотрудник лаборатории и центра Илья Прудаев посвятил своё выступление моделированию физических процессов в полупроводниковых сенсорах рентгеновского излучения.
Научный сотрудник лаборатории ТГУ Андрей Зарубин рассказал слушателям о базовых технологических процессах производства многоэлементных HR GaAs:Cr сенсоров рентгеновского излучения. Научный сотрудник лаборатории Антон Тяжев выступил с докладом «Многоэлементные счетные детекторы рентгеновского излучения на основе HR GaAs:Cr сенсоров».
– Нашей задачей было познакомить аудиторию с результатами исследований проведённых в рамках мегагранта и представить научному сообществу возможности детекторов на основе арсенида галлия, которые коллеги могли бы использовать как в своих разработках, так и для проведения собственных исследований, – говорит научный сотрудник центра «Перспективные технологии в микроэлектронике» Антон Тяжев.
Следующий семинар, который учёные планируют провести в рамках мегагранта, будет посвящён теме методов контроля электрофизических характеристик пластин высокоомного арсенида галлия, используемого для производства сенсоров рентгеновского излучения.