HR GaAs:Cr сенсоры могут повысить качество контроля 3D печати

Сотрудники лаборатории детекторов синхротронной излучения ТГУ приняли участие в XV Международной научно-практической конференции «Современные проблемы машиностроения», проходившей в ТПУ. Учёные представили доклад, посвящённый возможностям использования HR GaAs:Cr сенсоров для неразрушающего контроля деталей из полимеров.

– В 21 веке аддитивные технологии получили большое развитие и повсеместно применяются в современной промышленности, что обуславливает необходимость разработки методов неразрушающего контроля качества изделий, напечатанных с помощью 3D принтеров, – говорит научный сотрудник лаборатории детекторов синхротронного излучения ТГУ Лейла Шаймерденова. – Одним из возможных вариантов является рентгеновский метод контроля использование которого осложняется малой плотностью полимеров, что требует соответствующей оптимизации характеристик детекторов рентгеновского излучения

В докладе сотрудника лаборатории детекторов синхротронного излучения ТГУ Андрей Зарубина были представлены возможности использования детекторов на основе HR GaAs:Cr сенсоров для неразрушающего контроля деталей из полимеров. Было показано, что применение данных сенсоров позволяет получать высококачественные рентгеновские изображения полимерных объектов и контролировать внутренние неоднородности с пространственным разрешением в десятки микрометров.

Возможность работы детекторов в спектральном режиме позволяет оценивать плотность контролируемых образцов полимеров и, следовательно, понимать насколько точно воспроизводится компонентный состав изделий во время 3D печати.

Добавим, что данное направление в ТГУ развивает молодёжная лаборатория «Микроэлектроника мультиспектральной квантовой интроскопии». Новое подразделение создано в Томском государственном университете после победы в конкурсе Минобрнауки РФ, проведённого в рамках нацпроекта «Наука и университеты».

Для создания практических разработок используется большой научный задел, созданный радиофизиками ТГУ. В том числе важную роль сыграют данные, которые учёные получают сейчас в рамках проекта «Разработка фундаментальных основ физики и технологии радиационностойких полупроводниковых структур и создание на их основе многоэлементных детекторов для обеспечения исследований и исследовательской инфраструктуры синхротронного центра 4+ поколения «СКИФ» и других «мегасайенс» проектов в России». Исследования проводятся при поддержке мегагранта правительства РФ.