Молодые сотрудники лаборатории детекторов синхротронного излучения – студенты кафедры полупроводников электроники ФТФ ТГУ защитили выпускные квалификационные работы. Их тематика тесно связано с проектами, которые выполняются на базе лаборатории. Результаты, полученные молодыми сотрудниками лаборатории, будут использованы при изготовлении детекторов источника синхротронного излучения СКИФ, медицинской техники и других областей отечественного приборостроения.
Работа Михаила Голубева посвящена исследованию и моделированию амплитудного спектра и энергетического разрешения матричных сенсоров на основе арсенида галлия, компенсированного хромом (HR GaAs:Cr), для спектральных рентгеновских систем визуализации, работающих в счетном режиме. Актуальность работы обусловлена запросом на соответствующие сенсоры со стороны разработчиков рентгеновской аппаратуры в рамках задач по повышению конкурентных преимуществ отечественной электронной компонентной базы и импортозамещения.
Студент Алексей Жидиков выполнил и защитил ВКР, посвящённую исследованию и моделированию чувствительности к рентгеновскому излучению сенсоров на основе объемного нелегированного карбида кремния. Данные сенсоры предназначены для изготовления радиационно-стойких детекторов высокоэнергетических квантов и заряженных частиц. Актуальность работы обусловлена необходимостью разработки многоэлементных радиационно-стойких детекторов для контроля положения в пространстве пучков ионизирующего излучения синхротрона поколения 4+ «СКИФ» (г. Новосибирск). Данный проект лаборатория детекторов синхротронного излучения выполняет при поддержке мегагранта правительства РФ.
Константин Косухин защитил работу на тему «Исследование распределения удельного сопротивления и времени жизни носителей заряда по площади пластин арсенида галлия, компенсированного хромом». Работа посвящена исследованию и моделированию распределения удельного сопротивления и времени жизни носителей заряда по площади пластин арсенида галлия, компенсированного хромом (HR GaAs:Cr), используемых для изготовления многоэлементных сенсоров и детекторов рентгеновского излучения, работающих в счетном режиме. Актуальность работы обусловлена необходимостью повышения однородности характеристик многоэлементных сенсоров большой площади, производимых на основе HR GaAs:Cr пластин.
Тема ВКР, автором которой является Кирилл Чаштанов, «Моделирование чувствительности к рентгеновскому излучению сенсоров на основе монокристаллического сапфира». Работа посвящена исследованию и моделированию чувствительности к рентгеновскому излучению сенсоров на основе монокристаллического сапфира, используемых для изготовления радиационно-стойких детекторов высокоэнергетических квантов и заряженных частиц.
Полученные данные будут использоваться в процессе разработки многоэлементных детекторов для инструментального обеспечения центров синхротронного рентгеновского излучения, в частности для контроля профиля высокоинтенсивных пучков высокоэнергетических квантов и заряженных частиц, используемых при проведении экспериментов в области физики высоких энергий (проект «НИКА», «СКИФ»), а также при проведении протонной и ионной терапии в практике лечения онкологических заболеваний.