Учёные лаборатории детекторов синхротронного излучения ТГУ реализуют проект «Разработка фундаментальных основ физики и технологии радиационностойких полупроводниковых структур и создание на их основе многоэлементных детекторов для обеспечения исследований и исследовательской инфраструктуры синхротронного центра 4+ поколения «СКИФ» и других «мегасайенс» проектов в РФ». Данные, полученные в ходе масштабных исследований, легли в основу двух кандидатских диссертаций.
Сотрудники лаборатории детекторов синхротронного излучения ТГУ – Юлианна Петрова и Максим Верхолетов в ходе обучения в аспирантуре ТГУ подготовили научно-квалификационные работы по специальности «Физика полупроводников».
Кандидатская работа Юлианны Петровой (научный руководитель Вера Михайловна Калыгина) посвящена решению задачи определения закономерности влияния воздействия кислородной плазмы и высокотемпературного отжига на электрические и фотоэлектрические характеристики плёнок оксида галлия, полученных на подложках n-GaAs методом анодирования, а также определению условий управления электрофизическими характеристиками. Наряду с этим в диссертации продемонстрированы возможности использования слоев β-Ga2O3 для создания детекторов глубокого УФ-излучения.
Кандидатская работа Максима Верхолетова (научный руководитель Илья Анатольевич Прудаев) содержит решение научной задачи моделирования процессов переноса заряда в структурах из арсенида галлия с глубокими центрами Fe, Cr и EL2, имеющей значение для развития физики полупроводников. В частности, новые данные, полученные в рамках исследований, будут использованы для проектирования и разработки полупроводниковых детекторов ионизирующих излучений и сверхбыстрых силовых импульсных коммутаторов.
Обе научные работы, выполненные на базе РФФ и центра исследований и разработок «Перспективные технологии в микроэлектронике» ТГУ, успешно прошли этап предзащиты и допущены к защите, которая пройдет на базе Томского государственного университета в 2023 году.