Модернизация участка высокотемпературной обработки полупроводниковых пластин позволит улучшить качество детекторов

В НОЦ «Перспективные технологии в микроэлектронике», на базе которого действует лаборатория детекторов синхротронного излучения, будет проведена модернизация участка высокотемпературной обработки полупроводниковых пластин. Это позволит улучшить технические характеристики сенсоров, которые служат основой детекторов, изготавливаемых для двух станций ЦКП «СКИФ».

Полупроводниковые пластины используются для изготовления многоэлементных сенсоров синхротронного рентгеновского излучения, – говорит научный сотрудник лаборатории детекторов синхротронного излучения ТГУ Антон Тяжев. – Модернизация участка высокотемпературной обработки обеспечит повышение производительности и качества сенсоров синхротронного рентгеновского излучения.

Высокотемпературная обработка является ключевым этапом технологии изготовления пластин арсенида галлия, компенсированного хромом, и определяет технические характеристики сенсоров на их основе. В частности, от качества обработки зависит  абсолютная величина и однородность распределения удельного сопротивления по пластине арсенида галлия атомами хрома и, как следствие, абсолютную величину и однородность распределения  темнового тока по пикселам матричных сенсоров. Наряду с этим от высокотемпературной качества обработки зависит толщина чувствительного слоя и, как следствие, рабочий диапазон энергий и эффективность регистрации сенсором рентгеновских квантов.

Добавим, что детекторы синхротронного излучения изготавливаются в рамках масщтабного проекта, поддержанного мегагрантом правительства РФ. Они будут установлены на две станции СКИФа, относящиеся к первой очереди запуска. Наличие ультрасовременного синхротрона позволит российским учёным проводить исследования нобелевского уровня.