Сотрудники лаборатории детекторов синхротронного излучения центра ПТМ ТГУ Андрей Зарубин и Антон Тяжев посетили с рабочим визитов НИИ Материаловедения (НИИ МВ), г. Зеленоград. Одной из основных темой обсуждений на встрече была совместная научно-исследовательская деятельность в области оптимизации характеристик исходного арсенида галлия (n-GaAs), выращиваемого НИИ МВ, для изготовления сенсоров синхротронного рентгеновского излучения на базе ПТМ ТГУ.
В настоящее время ПТМ ТГУ выполнил предварительные исследования характеристик n-GaAs производства НИИ МВ. Результаты исследований показывают перспективность полученного материала для последующего изготовления HR GaAs:Cr сенсоров.
НИИ материаловедения более 50 лет занимается разработками в области микроэлектроники. Его ключевые направления деятельности: разработка и изготовление кремниевых детекторов ядерного и рентгеновского излучения для российских и международных экспериментов в области физики высоких энергий, разработка и изготовление быстродействующих p-i-n фотодиодов для радиометрии и спектрометрии, разработка и изготовление фотодиодных матриц.